如影随形

Shengmei半导体Shine台湾半导体2025携带切割设备和面

发布时间：2025-09-30 10:51编辑：bet356在线官方网站浏览（183）

从9月10日到12日，台湾2025年的半岛台湾在台北举行的展览馆完全举行。该会议的主题为“世界个性，变化开始”，重点是削减领域，例如AI芯片，高级包装，异质整合等，吸引了许多知名的半导体公司参加展览，并共同探索新的行业趋势。作为半导体设备领域的领先公司，Shengmei半导体出现在展览中，并提供了最新的解决方案，以展示高级面板包装等领域的剩余技术，并继续在促进行业发展和技术成功方面注入强大的动力。深度拆除FOPLP字段。这三种创新产品正在领导这一趋势。在新兴的应用程序（AI），高性能计算和数据中心等新兴应用程序的驱动下，高级半导体包装技术带来了重大转折。高ER生产效率和较大的包装尺寸，粉丝范围的面板级包装（FOPLP）预计将逐渐取代Cowos，并在将来成为AI芯片包装领域的新关键技术方向。 Shengmei半导体保持市场步伐，并深深地放置了FOPLP领域。在台湾2025年，它强调了面板级高级包装中的三种新产品，尤其是超过ECP AP-P-P面板级电镀设备，Ultra C Vac-P面板级负压清洁设备和Ultra CBEV-P面板面板级边缘级蚀刻设备。与传统的垂直电镀解决方案不同，使用旋转和独立的多动力控制，申请专利批准的水平（平面）电镀方法的超ECP AP-P面板级电镀设备对专利批准的水平（平面）电镀方法的批准，这更好地控制了电镀的均匀性；同时，它意识到控制面板变速器引起的插槽间污染的控制，大量REDUCES是不同金属之间离子交叉污染的风险，可以用作具有亚微米RDL和微型浴的大型面板的理想选择。该设备可以处理高达515x510mm的面板，并且可以选择600x600mm版本，并且Shengmei半导体为310x310mm面板生成了应用程序。该设备与有机和玻璃基板兼容，可以通过填充硅（TSV），铜色柱，镍和银锡（snag）镀金，焊料孔以及高清产品密度风扇（HDFO），并用铜，镍，银和金色镀金罐来使用。 Ultra ECP AP-P面板级电镀设备采用了由Shengmei半导体独立开发的世界面板级水平电镀技术，该技术可以动态并准确控制整个面板电场的分布。该技术适合各种制造工艺，并确保电镀O的一致效果f整个面板，从而确保了面板内部和面板之间的出色均匀性。 Shengmei半导体的Ultra ECP AP-P设备得到了该行业的广泛认可，并获得了许多技术收益，并于2025年3月获得了美国煽动者协会的“技术启用奖”奖，这进一步反映了技术的杰出促进。 Ultra C Vac-P面板级别的压力清洁设备可容纳510x515mm和600x600mm尺寸的面板，并且面板翘曲最高为7mm。使用负压技术去除芯片结构中的通量残基可以使液体清洁达到狭窄的间隙，从而显着提高了清洁效率。目前，设备是由客户侧面的质量制造的。 Ultra C BEV-P面板级边缘蚀刻设备使用湿式蚀刻工艺，旨在去除铜边和拆卸铜，这在风扇淘汰面板级包装技术中起着重要作用。这个过程是我很想有效防止电源短路，降低污染的风险，并保持随后的过程步骤的完整性，从而确保设备敏锐。该设备的效率主要是由于Shengmei半导体获得了专利技术，以应对方形面板底物带来的独特挑战。与传统的圆形晶圆不同，Shengmei半导体的独特设计提供了准确的边缘去除过程，从而确保处理翘曲面板的过程仅限于侧面区域。该专利技术对于维持蚀刻过程的完整性很重要，并提供了高级半导体技术所需的高性能和可靠性。不同的竞争技术显示了结果。矩阵的产物继续改善。自建立以来，Shengmei半导体一直专注于为全球梳子提供领先的设备和过程解决方案与巡回赛的Industrialya一起进行了INED，并遵循了发展多样化的国际竞争和原始变化的方法。通过持续的独立研发和连续投资，通过丰富的技术和积累过程，一个基于半导体的平台是由半导体设备的半导体工艺形成的，包括清洁设备，半导体开发设备，具有增强化学装箱的等离子拆卸设备，具有增强的化学装备设备，带有化学装备的高级设备，具有化学装备，带有化学药品的高级设备，具有化学药品，带有化学包装的化学装备的高级设备，具有化学装备的设备。包装，硅基板技术设备等可以涵盖三个基本工艺设备的应用领域：前路径半导体制造，后路高级包装和硅晶圆制造。在台湾2025年的半导体中，Shengmei半导体还显示了“ B's ProductCompany” -SPM（硫酸过氧化硫酸）清洁全景解决方案技术。最近，该解决方案中的两个清洁设备 - 单晶片中/高温SPM设备设备和Ultra C Tahoe Medium -perty设备 - 再次取得了重要的技术成功，这不仅满足客户需求，而且还设定了新的行业模型。其中，SPM设备的单个晶圆介质/高温的升级主要包括：通过优化过程参数和设备结构，纳米级晶粒的控制能力得到了显着提高。 26nm的谷物Na Paguubok满足了高级过程的严格要求，并反映了设备的有效均匀性和稳定性。这种升级进一步结合了单个晶圆高温SPM设备具有谷物控制能力等的领先优势，并且适合在制造高级集成电路（例如逻辑，鼓和3D-NAND）的制造中清洁和蚀刻过程。 Ultra c tOE中型设备温度的AHAN突破性表现主要包括：该平台在26nm谷物测试中显示出少于5个颗粒的清洁效果，符合严格的高级节点制造节点，适用于应用，例如高密度逻辑芯片和记忆芯片；升级25个晶圆槽模块和9个单晶片腔将使他们的时间-oras生产能力高达180瓦夫夫，从而极大地提高了清洁效率；膜之间不同反应室之间的厚度的差异小于0.1a，从而确保清洁均匀性并避免由于膜的不等性而改变芯片性能。除了清洁设备外，Shengmei半导体还显示了许多创新产品，包括电镀设备，蚀刻设备和炉管道，这些产品吸引了许多来自世界各地的众所周知的企业客户来停下来访问。技术公司团队并参观CUSTomers对产品绩效，技术细节和行业应用等问题进行了深入的交流，并讨论了进一步加深合作的机会。场景的气氛是热 - 温暖和positibo ang puna。在最前沿，Shengmei半导体继续遵守开发“技术差异化，产品平台化和客户全球化”的方法。在高级包装，清洁，电镀和其他子行业中，其深厚的技术积累，迅速响应客户需求的创新能力，并提高品牌影响力，Shengmei半导体肯定将是促进全球半导体行业链的必不可少的主要力量。 特别声明：上面的内容（包括照片或视频（如果有））已由“ NetEase”自助媒体平台的用户上传和发布。该平台仅提供信息存储服务。 Pansinin：Ang Nilalaman sa Itaas（Kasama Ang Mga Larawan在nai -post ng intease netease hao用户的视频功夫nai -upload上，这是一个社交媒体平台，仅提供信息存储服务。